近日，中科院发布通告宣布，该院苏州纳米所通过揭示铜基表面化学气相沉积法（CVD）调控机理，帮助构建静态常压CVD（SAPCVD）系统，实现了快速批量制备石墨烯，在该研究领域取得较大进展。
石墨烯快速批量制备是石墨烯相关研究领域的重要研究方向。由于在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，CVD方法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力，铜基CVD法已经分别在大批量、高质量和快速制备3个方向取得了一系列的突破进展。
然而，铜衬底和石墨烯晶格的失匹配，传统CVD方法的低碳源浓度和流阻导致的石墨烯生长不均匀，使得同时实现快速、大批量和高质量制备石墨烯，仍然是一个不小的挑战。
为此，中科院苏州纳米所研究员刘立伟课题组和苏州格瑞丰纳米科技有限公司合作，首先对铜衬底进行晶向调控，揭示了氧化层对铜衬底晶向的调控作用和机制。
基于上述研究成果，该团队通过构建一个基于分子热运动的静态常压CVD(SAPCVD)系统，实现了快速批量制备高质量石墨烯。实验结果证明，SAPCVD系统能够同时在20层铜衬底上批量化制备光学均匀的石墨烯，其生长速率达到1.5μm/s。通过调控石墨烯和铜衬底的晶格失匹配，石墨烯的晶界密度得到有效抑制。（仲科）
转自：中国化工报
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