功率射频半导体产业创新基地落户江苏昆山高新区

　　为大力推动集成电路与半导体产业集群化发展，加快构建昆山自主创新、安全可控现代产业体系，近日，昆山市政府与中国科学院微电子研究所及协鑫集团合作建设、投资约３１０亿元的功率射频半导体产业创新基地项目正式签约。

　　此次三方合作建设的功率射频半导体产业创新基地，坐落于昆山高新区阳澄湖科技园的核心区域。项目的成功签约，旨在聚合各方优势资源，共同成立昆山初芯半导体科技有限公司，投资建设功率射频半导体产业创新基地、中国科学院集成电路创新研究院昆山产业基地，促进功率半导体产业链、价值链、资金链融合，努力实现从“低端制造者”到“产品／方案创新者”的转变，着力将昆山打造成为功率射频半导体产业领域的国际开放创新合作“高峰”、网络强国战略实施“高地”和江苏数字经济产业发展“高原”。

　　半导体产业属于“高度资本密集＋高度技术密集”的大产业。中科院微电子研究所是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，功率射频半导体产业创新基地建设成功，将成为我国半导体产业发展史上的里程碑。项目选择落户昆山，正是因为昆山是我国改革开放的先锋，具有雄厚的产业基础和优异的投资环境。未来，中科院微电子研究所将与协鑫集团精诚合作，以昆山为总部，将昆山打造成为国家半导体产业的高地。

　　协鑫集团是较早进入半导体材料研发制造领域的企业之一。此次合作建设功率射频半导体产业创新基地，不仅是推动昆山产业转型和战略性新兴产业发展的重大机遇，而且是协鑫集团在昆山转型升级的战略安排。

　　在签约仪式上，昆山市委书记、市长杜小刚与中科院微电子研究所所长叶甜春共同为中国科学院集成电路创新研究院昆山产业基地揭牌。昆山市委常委，昆山高新区党工委书记、管委会主任管凤良与叶甜春、协鑫（集团）控股有限公司副董事长朱钰峰共同为功率射频半导体产业创新基地项目签约。

　　杜小刚表示，昆山将努力在全国率先建成具备县域特点、具有国际影响力的国家级科创中心，着力营造有声有势、有声有色的浓厚科创氛围。此次昆山市政府与中科院微电子研究所及协鑫集团合作建设功率射频半导体产业创新基地，既为强强联合、协同创新提供新典范，也为昆山着力打造光电、半导体、小核酸及生物医药、智能制造四大高端产业增添新活力，标志着昆山产业转型升级、推动新旧动能转换驶入快车道，加速从“昆山制造”向“昆山智造”转变。

　　杜小刚还表示，昆山将全力以赴支持功率射频半导体产业创新基地建设，并希望在股权架构、运营机制创新上大胆闯、大胆试，努力让企业家有前途、让科学家有奔头、让产业发展有动力。三方要加强产业基地规划设计研究，拿出高质量方案，打造具有代表性的精品项目。同时，昆山将坚持生态优先、绿色发展，不断深化与中科院、协鑫集团的全面合作，研究开展在洁净能源使用、节能降耗等方面的合作，加快建设绿色昆山，让天更蓝、水更绿。（丁宇）

　　转自：中国高新技术产业导报

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