近日，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院团队成功研发出全球首颗二维-硅基混合架构闪存芯片，解决了长期困扰行业的存储速率技术难题。
如今，数据存取性能面临着极致要求，传统存储器的速度与功耗已成为阻碍算力发展的关键瓶颈。而此次复旦团队研发的闪存芯片，将二维超快闪存器件"破晓（PoX）"与成熟硅基 CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺深度融合，创造出"长缨（CY-01）"架构。芯片读写操作速度快至20纳秒，核心存储单元擦写速度达到400皮秒，写入每比特数据能耗仅0.644皮焦耳，性能远超传统闪存。为解决二维材料与CMOS集成的难题，团队提出了创新的模块化集成方案：先独立制造二维存储电路与
CMOS控制电路，再通过"分离制造-单片互连"模式及高密度互连技术完成集成，实现了原子尺度上二维材料和 CMOS衬底的紧密贴合，最终芯片制造良率高达94.3%。目前，该团队已为相关技术进行了专利布局。
据悉，该团队下一步计划建立实验基地，与相关机构合作开展自主的工程化项目。（郭冬玲）
转自：中国知识产权报
【版权及免责声明】凡本网所属版权作品，转载时须获得授权并注明来源“中国产业经济信息网”，违者本网将保留追究其相关法律责任的权力。凡转载文章及企业宣传资讯，仅代表作者个人观点，不代表本网观点和立场。版权事宜请联系：010-65363056。
延伸阅读
