近日,由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业等41家单位筹建的第三代半导体产业技术创新战略联盟在北京成立。科技部副部长曹健林出席了成立大会并为联盟揭牌。联盟第一届理事会第一次工作会同期召开,选举了联盟理事长、秘书长。
据介绍,第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC和ZnO为代表的新型半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的优点,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料,正在成为全球半导体产业新的战略高地。
与此相关技术的突破将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。美、日、欧、韩等发达国家高度重视并已部署国家计划抢占战略制高点。我国政府也十分重视第三代半导体材料与器件的研发及产业化。在政府的持续部署支持下,我国材料研发的整体水平与国际上差距不大,如在第三代半导体材料第一个产业化的应用——半导体照明方面,已经在关键技术上实现突破,创新应用国际领先。
此次成立的联盟,将围绕产业链构建创新链,促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新,推动产业生态体系的建设,培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业群,形成全国一盘棋的发展合力,抓住换道超车的历史性机遇,实现创新驱动发展,在国际上抢占产业发展制高点,重构全球半导体产业格局。(记者郭涛)
来源:中国高新技术产业导报
版权及免责声明:凡本网所属版权作品,转载时须获得授权并注明来源“中国产业经济信息网”,违者本网将保留追究其相关法律责任的权力。凡转载文章,不代表本网观点和立场。版权事宜请联系:010-65363056。
延伸阅读
版权所有:中国产业经济信息网京ICP备11041399号-2京公网安备11010502003583