中芯推28纳米HKMG与联芯打造SoC芯片

　　中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际）与大唐电信科技产业集团旗下联芯科技有限公司（简称“联芯科技”）近日共同宣布，中芯国际28纳米高介电常数金属闸极（HKMG）制程已成功流片，基于此平台，联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片，包括高性能应用处理器和移动基带功能，目前已通过验证，准备进入量产阶段。

　　中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅（PolySiON）和HKMG制程的晶圆代工企业。与传统的PolySiON制程相比，中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。基于中芯国际28纳米HKMG制程平台，联芯科技推出的智能手机SoC芯片拥有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主频达1.6GHz。延续联芯科技在4G移动通信市场的佳绩，该芯片的面世将推动搭载“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。

　　中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示：“我们还将持续进行28纳米技术平台的开发及改善，预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本，为客户提供更多优化的制程选择。”（陈炳欣）

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