武汉新芯宣布取得三维数据型闪存技术重大突破

武汉新芯近日宣布，其正在进行的三维数据型闪存项目已在研发上取得重大突破。通过研发团队半年时间的努力，第一个具有9层结构的三维存储器芯片下线，并一次性通过了存储器基本功能的电学验证，标志着武汉新芯已成为世界少有拥有此项技术的公司之一，也表示我国集成电路制造业迎来了新发展。

三维数据型存储技术是国际上各大存储企业研发的核心方向。其技术难度高，目前全球仅有一家公司成功实现3D-NAND存储器量产，其他存储器企业仍处于研发阶段。三维数据型闪存技术是通过在硅片表面垂直叠加几十个或更多的电荷存储层，来提高单颗芯片的存储密度。现有芯片内布置存储单元大都是平铺，虽然面积越做越小，但总会遇到极限，而三维技术如同盖高楼，同样的面积下，可以提供更大的数据存储空间。

据悉，三维数据型闪存芯片可广泛应用于手机、电脑等电子产品，将是固态硬盘的主要元件。固态硬盘可用于各种便携存储设备，能随时存储任何格式的数据文件资料，被誉为个人的“数据移动中心”，具有广阔的市场前景。

武汉新芯三维数据型闪存研发团队组建于2014年8月，第一阶段开发9层的三维NAND存储器原型阵列，于2014年Q4完成了版图设计和工艺流程搭建，于2015年5月完成工艺制程开发及测试验证，首次流片即告成功，在预计时间节点完成所有研发过程。（陈炳欣）

来源：中国电子报

　　版权及免责声明：凡本网所属版权作品，转载时须获得授权并注明来源“中国产业经济信息网”，违者本网将保留追究其相关法律责任的权力。凡转载文章，不代表本网观点和立场。版权事宜请联系：010-65363056。

延伸阅读