我国研发出世界首个半浮栅晶体管

日前，由复旦大学微电子学院张卫教授领衔团队研发的世界第一个半浮栅晶体管（SFGT）研究论文刊登于《科学》杂志，这是我国科学家首次在该权威杂志发表微电子器件领域的研究成果。该成果的研制将有助于我国掌握集成电路的核心技术，从而在国际芯片设计与制造领域内逐渐获得更多的话语权。

MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是现在集成电路的核心器件。在过去的几十年里，各国科学家努力将更多的MOSFET 集成到一块芯片上来提高运算能力，钻研如何实现更小尺寸的元器件。张卫表示，随着器件尺寸越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。

半浮栅晶体管的前瞻研发就是在这种情况下展开的。研究团队将隧穿场效应晶体管（TEET）和MOSFET 相结合，构建成了一种名为“半浮栅”的新型基础器件。论文第一作者王鹏飞教授解释说，“ 隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，好像拥有了穿墙术。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄，器件隧穿所需电压也就越低。把TFET 和浮栅晶体管相结合，半浮栅晶体管（SFGT）的“ 数据”擦写更加容易、迅速。

来源：科技日报

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