中国南车IGBT项目年产值将超20亿元

5月25日，中国南车601766大功率IGBT产业化基地在中国南车株洲所奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。据悉，项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计-芯片制造-模块封装-系统应用完整产业链的企业，填补了国内相关技术领域的空白，将打破国外的垄断供应。

　　据介绍，IGBT项目预计2013年正式投产，总投资14亿元，年产值保守估计在20亿元。

　　国外寡头基本垄断供应

　　IGBT，英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor，中文全名绝缘栅双极晶体管，是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。

　　IGBT是电机控制和功率半导体器件首选器件，在轨道交通、航空航天、船舶驱动、新能源电动汽车、风力发电、太阳能发电、高压变频、工业传动及电力运输等多个重要行业和领域广泛运用。IGBT被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

　　目前，全球IGBT市场中最主要的供应厂商由国外少数大公司控制，他们代表国际IGBT技术最高水平，包括日本三菱、东芝，德国英飞凌由西门子公司剥离出来、瑞士ABB公司。英飞凌在马来西亚有一条月产达到10万片8英寸芯片线，日本三菱将是中国南车位于亚洲的最主要竞争对手。

　　数据显示，我国已成为全球最大的功率半导体器件消费市场。仅2009年功率半导体器件市场规模就达到1215.3亿元，预计今后五年年均增长速度仍将保持在8%的水平。但中国南车株洲所负责IGBT项目的冯总工程师认为，这种增长速度依然显得非常保守。另外，根据历史数据，功率IGBT模块的市场销售总额约占整个功率半导体市场的10%左右，但整个IGBT市场大部分由国外厂商占据，其中IGBT芯片完全依赖进口，关键技术被国外大公司垄断。

　　进口替代前景广阔

　　中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目，由中国南车株洲所具体实施，占地160亩，预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值将超过20亿元，其产业规模和技术实力均超过国内已有水平，达到国际领先水平。

　　中国南车大功率IGBT产业化基地除建设一条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条满足不同行业用的IGBT模块生产线，产品电压等级从600伏到6500伏。

　　据介绍，早在“十一五”期间，中国南车就在国内率先启动“高压IGBT元件研制”，并先后获得国家多项科研经费支持。2009年，中国南车在株洲所建立了国内第一条小批量大功率IGBT模块封装线，目前自主生产的IGBT器件已在国内地铁及机车上装车试运营，产品性能等同于国外产品。

　　目前IGBT芯片完全依赖进口，中国南车株洲所负责IGBT项目的冯总工程师表示，正式投产后，中国南车IGBT产品价格肯定要比国外产品低一些，一旦中国南车正式投产，将产生良好的进口替代效应。

来源：中国证券报

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