中国存储器产业如何弯道超车？

7月14日，有可靠人士向《中国电子报》记者透露了紫光集团向半导体存储巨头美国美光科技公司发出全面收购邀约的消息。据悉，这是一笔总价约230亿美元的收购邀约，而此前，中国企业还未曾出现过如此大手笔的收购意向。

彭博社称美光科技发言人否认收到紫光收购提议：“美光不会对传言和揣测置评，但是我们可以确认，我们并没有收到紫光集团收购提议。”不论收购情况具体如何，紫光集团显然已经初步显露了其对半导体存储产业的野心。

“通过并购这种国际巨头，发展存储器产业是正确的，值得肯定。紫光集团具备超强的商业头脑和资本运作能力，也值得表扬。但我认为美国政府不会批准这个并购，所以这个并购成功的可能性微乎其微。而且目前中国的并购有点过热，引起了全球的警觉和抵制，这点要引起注意。”芯谋研究首席分析师顾文军向《中国电子报》记者指出。

存储器对于中国来说是个特大难题

存储器产业正是中国目前大力推进的重要芯片领域。2014年6月发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》中强调，要开发基于新业态、新应用的新型存储等关键芯片产业，抢占未来产业发展制高点。

中国对存储芯片的需求量很大。根据赛迪顾问数据，中国存储芯片的市场规模目前占国内总芯片市场比重的23.7%，超过CPU和手机基带芯片。根据DRAMeXchange的数据，2014年中国DRAM消化量达到47.89亿颗（2Gbequiv），总计102亿美元，占全球产能的19.2%。

然而，在寡头竞争的大格局下，存储器的发展对于中国来说是个特大难题。“中国之前的存储器产业几乎为零。”手机中国联盟秘书长王艳辉向《中国电子报》记者指出。

从2014年6月《纲要》发布至今，规划中的IC设计、制造、封测领域都有了相应进展，目前也只有存储器领域迟迟没有大动作。

“中国想要发展存储器产业只有两种方式，一种是通过收购获得关键技术，一种自己选择性地发展突破。”Gartner（中国）研究总监盛陵海告诉《中国电子报》记者。

此前，经历了一番波折完成对芯成半导体（ISSI）收购的武岳峰资本选择的就是收购的路径，只不过ISSI所擅长的SRAM并不是目前最主流的存储器市场。对于去年相继拿下展讯和锐迪科、今年又将惠普旗下华三通信纳入麾下的紫光集团来说，收购也显然是最驾轻就熟的路径。而美光也是一个好的选择。

“国际主流的3家存储器厂商中，三星电子和SK海力士是韩国公司，与美光科技这样的美国公司相比，存储器产业对韩国政府更重要，因此中国企业想从他们那边通过收购得到技术很难，才会选择美光。”盛陵海向《中国电子报》记者指出。

美光科技占据了全球半导体存储器的三分天下之一，目前存储器产业最主流的DRAM和Flash都是美光所擅长的领域。其中，DRAM占据了美光2014年近70%的营收。根据iHS的数据，2014年美光科技在全球DRAM市场拿到了24.6%的市场份额，位居全球第三；而在NAND Flash市场，美光科技同样以18.9%的市场份额位列第三。

从股价的表现来看，目前收购美光也是一个好时机。受到今年芯片获利不佳、个人电脑市场需求停滞以及三星等公司的强力竞争影响，美光科技的业绩有所恶化，股价也持续崩落。根据6月底美光科技发布的截至2015年6月4日的第三季度财报，其销售额同比减少了3%，净利润同比减少了39%。

收购显然是捷径，但这并不意味着能够成功。王艳辉指出，依据《外国投资与国家安全法案》，这笔收购要通过美国外国投资委员会的审批很难。盛陵海也表示，收购的操作没那么简单，真要收购价格也不会那么便宜，收购后如何运营好工厂也会是一个问题。

自主发展存储器产业 以NAND Flash为突破口

“核心的技术靠买是很难买到的，中国还是要坚持脚踏实地，自我发展。”顾文军向记者指出。

由于发展主流存储器产业必须要紧跟最先进制程，大笔资金长期投入的必要条件造成了发展产业的困难，但目前中国即将迎来能够自主发展起来存储器产业的机遇。

盛陵海告诉记者，在过去的两三年内，存储器产业的供应量小于需求量，导致存储器产业出现了大幅度反弹。然而，盛陵海预测，从明年开始，半导体存储器市场又会进入萧条期，因此从时间点上来看，是中国切入存储器产业较好的机会。

目前中国在发展存储器产业上也下了很大的决心。此前曾有媒体报道指出，武汉将被打造为中国发展存储器产业的首要重点区域，由中芯国际和武汉新芯联手打造存储芯片国家队，并有可能募集到规模达240亿美元的投资。

武汉新芯正是目前中国仅有的存储芯片代工厂，其目前主要的业务是NOR Flash存储器代工，目前月产能达到2万片每月，其中NOR Flash占1万片，BSI（背照式影像传感器）占1万片。而NOR Flash目前从整个存储器产业格局来看，所占的市场比例很小。

“因此，我们把未来发展存储器产业的突破点选在了3D NAND Flash方面，目前的开发进展比较顺利。”武汉新芯副总李平告诉《中国电子报》记者。

选择3D NAND Flash为突破口，武汉新芯显然有着自己的考量。李平表示，目前从半导体存储器的市场分割来看，DRAM和NAND Flash基本上是平分天下的局面，是主流市场。而武汉新芯在生产NOR Flash产品上的技术积累为研发NAND Flash奠定了基础。从技术要循序发展的角度来看，NAND Flash是武汉新芯发展存储器的最好切入点。

业内专家也同样看好以发展NAND Flash闪存为存储器产业突破口。有半导体专家向《中国电子报》记者指出，DRAM产业太过成熟，目前发展DRAM的机会不多。相比较而言，发展Flash闪存，尤其是NAND Flash机会较大。随着物联网应用的发展，无论是数据库还是各节点的终端都有大量的闪存需求。但是如果发展NAND Flash，一定要走IDM（整合元件制造）的模式，而不能局限于代工。这也是目前存储器巨头们的主流模式。

盛陵海则认为，中国要想发展起来存储器产业，不一定要从最主流的DRAM和NAND Flash领域入手，可以逆序思考，选择小众的利基市场。利基市场的成本竞争不激烈，可先构建起技术团队，积累经验，等到出现存储器技术转换的时机，就可以有机会弯道超车。（本报记者 刘静）

来源：中国电子报

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